عرض مصدر ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة

{{صندوق معلومات مكون إلكتروني}}

'''ترانزستور ثنائي القطبية ذو بوابة معزولة''' {{إنج|Insulated-gate bipolar transistor}} و يرمز له أيضا ب(IGBT) هو مكون يعتمد أشباه الموصلات يستخدم في [[كهرباء|الكهرباء]] ذات الطاقة العالية كونه يحتوي على ميزات [[ترانزستور ثنائي القطب|تراتزستور ثنائي القطب]] العادي مثل التمرير الجيد للتيار، ممانعة عالية للتيار بالاتجاه العكسي، وقوة في الأداء، ويحوي أيضا ميزات [[ترانزستور الأثر الحقلي|الترانزستور الحقلي]] الأحادي القطب.<ref>{{استشهاد ويب|مسار=https://license.umn.edu/product/ion-gel-gate-insulator-in-field-effect-transistors |عنوان=Ion Gel as a Gate Insulator in Field Effect Transistors | وصلة مكسورة = no |مسار أرشيف=https://web.archive.org/web/20111114011218/http://www.license.umn.edu/Products/Ion-Gel-as-a-Gate-Insulator-in-Field-Effect-Transistors__Z07062.aspx |تاريخ أرشيف=2011-11-14 |df= }}</ref><ref>{{استشهاد ويب | مسار = https://eng.umd.edu/news/story/alumnus-wheatley-earns-ieee-pioneer-award | عنوان = C. Frank Wheatley, Jr., BSEE | عمل = Innovation Hall of Fame at A. James Clark School of Engineering| مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20170814153533/https://eng.umd.edu/html/news/news_story.php?id=5778 | تاريخ أرشيف = 14 أغسطس 2017 }}</ref><ref>[http://www.electronics-tutorials.ws/power/insulated-gate-bipolar-transistor.html Basic Electronics Tutorials.] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20170507154439/http://www.electronics-tutorials.ws/power/insulated-gate-bipolar-transistor.html |date=07 مايو 2017}}</ref>

== المراجع ==

{{مراجع}}
{{تصنيف كومنز}}
{{شريط سفلي عناصر إلكترونية|state=collapsed}}
{{شريط بوابات|إلكترونيات|الفيزياء}}

{{ضبط استنادي}}

{{بذرة إلكترونيات}}

[[تصنيف:أنواع الترانزستورات]]
[[تصنيف:اختراعات هندية]]
[[تصنيف:اختراعات يابانية]]
[[تصنيف:إلكترونيات صناعية]]
[[تصنيف:ترانزستورات ثنائية القطبية]]
[[تصنيف:مكونات إلكترونية]]