تضامنًا مع حق الشعب الفلسطيني |
ملف:Diode mosfet.svg
حجم معاينة PNG لذلك الملف ذي الامتداد SVG: 480 × 320 بكسل. الأبعاد الأخرى: 320 × 213 بكسل | 640 × 427 بكسل | 1٬024 × 683 بكسل | 1٬280 × 853 بكسل | 2٬560 × 1٬707 بكسل.
الملف الأصلي (ملف SVG، أبعاده 480 × 320 بكسل، حجم الملف: 10 كيلوبايت)
هذا ملف من ويكيميديا كومنز. معلومات من صفحة وصفه مبينة في الأسفل. كومنز مستودع ملفات ميديا ذو رخصة حرة. |
ملخص
الوصفDiode mosfet.svg |
English: Current vs Voltage curves of a MOSFET operating in the ohmic region and a diode. At low current values, the voltage drop in the MOSFET is less than in the diode (due to its threshold voltage). When the current increases, the forward voltage drop of the diode does not increase as much as that of the MOSFET. In consequence, for high currents, the losses (current times voltage) are less in the diode than in the MOSFET. However, by connecting several MOSFETs in parallel, it is possible to reduce their RDSon as can be seen in the figure (magenta curve). Paralleling several diodes will not modify their threshold voltage.
Created using maxima
Русский: Зависимости тока от напряжения для полевого МОП-транзистора, работающего в омической области, и диода. При малых значениях тока падение напряжения на MOSFET меньше, чем на диоде (из-за его прямого падения напряжения). Когда ток увеличивается, прямое падение напряжения на диоде не увеличивается так быстро, как на MOSFET. Как следствие, для больших токов потери (ток, умноженный на напряжение) в диоде меньше, чем в MOSFET. Однако, подключив несколько полевых МОП-транзисторов параллельно, можно уменьшить их сопротивление во включённом состоянии, как показано на рисунке (пурпурная кривая). Параллельное соединение нескольких диодов не изменит их пороговое напряжение и выигрыш в рассеиваемой мощности будет незначительным. |
التاريخ | |
المصدر | File:Diode mosfet.png |
المؤلف | User:CyrilB |
إصدارات أخرى |
|
SVG منشأ الملف InfoField | الشيفرة المصدرية لهذا الرسم المتجه صالحة. , and then manually validated.هذا الرسم المتجهي أُنشئ بواسطة Gnuplot |
نص برمجي مصدري InfoField |
diode(x) := 0.026*log(x*1e9+1);
MOSFET(x) := x*0.02;
MOSFET2(x) := x*0.01;
load(draw);
draw2d(terminal=svg,file_name="Diode_mosfet",dimensions=[480,320],
color=black,font="Times",font_size=10,nticks=75,proportional_axes=none,
user_preamble="set termoption enhanced;set mxtics; set mytics; set key bottom right",
xtics_axis=false,ytics_axis=false,grid=true,points_joined=true,yrange=[0,1],
xaxis=false,yaxis=true,axis_top=true,axis_bottom=true,axis_left=true,axis_right=true,
line_width=2,/*label(["x",1.,0.1],["y",0.1,1.]),*/xlabel="Current [A]",ylabel="Voltage [V]",
color=blue,key="Diode",explicit(diode(x),x,0,60),
color=red,key="MOSFET R_{DSon}=20 mO",explicit(MOSFET(x),x,0,60),
color=magenta,key="MOSFET R_{DSon}=10 mO",explicit(MOSFET2(x),x,0,60),key="",
color=black,line_type=dots,line_width=0.75,head_both=true,head_type=nofilled,
point_type=dot,head_angle=20,head_length=1,
vector([0,0.7],[31.6,0]),vector([31.6,.7],[60-31.6,0]),points([ [31.6,.6],[31.6,.72] ]),
label(["less losses in the 20 mO MOSFET",16,.72],["less losses in the diode",50,.72])
);
|
ترخيص
هذا الملفُّ مُرخَّص بموجب رخصة المشاع الإبداعي نسبة المُصنَّف إِلى مُؤَلِّفه - المشاركة بالمثل 3.0 العامة
- يحقُّ لك:
- مشاركة العمل – نسخ العمل وتوزيعه وبثُّه
- إعادة إنتاج العمل – تعديل العمل
- حسب الشروط التالية:
- نسب العمل إلى مُؤَلِّفه – يلزم نسب العمل إلى مُؤَلِّفه بشكل مناسب وتوفير رابط للرخصة وتحديد ما إذا أجريت تغييرات. بالإمكان القيام بذلك بأية طريقة معقولة، ولكن ليس بأية طريقة تشير إلى أن المرخِّص يوافقك على الاستعمال.
- الإلزام بترخيص المُشتقات بالمثل – إذا أعدت إنتاج المواد أو غيرت فيها، فيلزم أن تنشر مساهماتك المُشتقَّة عن الأصل تحت ترخيص الأصل نفسه أو تحت ترخيص مُتوافِقٍ معه.
هذا الملف مُرخص تحت رخصة المشاع المبدع نسبة المصنف إلى مؤلفه - المشاركة على قدم المساواة 2.5 العامة
- يحقُّ لك:
- مشاركة العمل – نسخ العمل وتوزيعه وبثُّه
- إعادة إنتاج العمل – تعديل العمل
- حسب الشروط التالية:
- نسب العمل إلى مُؤَلِّفه – يلزم نسب العمل إلى مُؤَلِّفه بشكل مناسب وتوفير رابط للرخصة وتحديد ما إذا أجريت تغييرات. بالإمكان القيام بذلك بأية طريقة معقولة، ولكن ليس بأية طريقة تشير إلى أن المرخِّص يوافقك على الاستعمال.
- الإلزام بترخيص المُشتقات بالمثل – إذا أعدت إنتاج المواد أو غيرت فيها، فيلزم أن تنشر مساهماتك المُشتقَّة عن الأصل تحت ترخيص الأصل نفسه أو تحت ترخيص مُتوافِقٍ معه.
العناصر المصورة في هذا الملف
يُصوِّر
٢٧ مايو 2011
تاريخ الملف
اضغط على زمن/تاريخ لرؤية الملف كما بدا في هذا الزمن.
زمن/تاريخ | صورة مصغرة | الأبعاد | مستخدم | تعليق | |
---|---|---|---|---|---|
حالي | 18:56، 14 يناير 2018 | 480 × 320 (10 كيلوبايت) | commonswiki>JoKalliauer | simplified code, better human readable, easier to correct, changed to fonts available by Wikipedia, put fonts in the most upper layer |
استخدام الملف
ال1 ملف التالي مكررات لهذا الملف (المزيد من التفاصيل):
- ملف:Diode mosfet.svg من ويكيميديا كومنز
الصفحة التالية تستخدم هذا الملف:
بيانات وصفية
هذا الملف يحتوي على معلومات إضافية، غالبا ما تكون أضيفت من قبل الكاميرا الرقمية أو الماسح الضوئي المستخدم في إنشاء الملف.
إذا كان الملف قد عدل عن حالته الأصلية، فبعض التفاصيل قد لا تعبر عن الملف المعدل.
العرض | 480 |
---|---|
الارتفاع | 320 |
مجلوبة من «https://3rabica.org/ملف:Diode_mosfet.svg»