| عرض العنوان | مقاومة ذاكرية |
| مفتاح الترتيب الافتراضي | مقاومة ذاكرية |
| حجم الصفحة (بالبايت) | 6٬177 |
| معرف النطاق | 0 |
| معرف الصفحة (ID) | 1386536 |
| لغة محتوى الصفحة | ar - العربية |
| نموذج محتوى الصفحة | نص ويكي |
| فهرسة الروبوتات | مسموح بها |
| عدد التحويلات إلى هذه الصفحة | 3 |
| محسوبة كصفحة محتوى | نعم |
| معرف عنصر أرابيكا | لا شيء |
| تعديل | السماح لكل المستخدمين (لا نهائي) |
| النقل | السماح لكل المستخدمين (لا نهائي) |
| الصفحة المنشئ | عبود السكاف (نقاش | مساهمات) |
| تاريخ إنشاء الصفحة | 13:38، 24 أكتوبر 2023 |
| أحدث محرر | عبود السكاف (نقاش | مساهمات) |
| تاريخ آخر تعديل | 13:38، 24 أكتوبر 2023 |
| عدد التعديلات | 1 |
| عدد المؤلفين المختلفين | 1 |
| عدد التعديلات الأخيرة (في 90 يوما) | 0 |
| عدد المؤلفين المختلفين الأخيرين | 0 |
Description | Content |
Article description: (description)
This attribute controls the content of the description and og:description elements. | "المقاومة الذاكرية، مقاوم الذاكرة" (بالإنجليزية: Memory Resistor أو Memristor) هو العنصر الذي ادّعى الأستاذ ليُن تشو Leon Chua أنه العنصر الرابع في الدوائر الإلكترونية... |