|
تضامنًا مع حق الشعب الفلسطيني |
أكسدة موضعية للسيليكون
.svg)
1) سيليكون 2) ثنائي أكسيد السيليكون.
الأكسدة الموضعية للسيليكون (ملاحظة 1) هي عملية من عمليات التصنيع الدقيق في صناعة أشباه الموصلات، حيث تتشكل طبقة رقيقة من ثنائي أكسيد السيليكون في مناطق محددة على رقاقة من السيليكون، وبحيث يكون نقاط مستوى التماس Si-SiO2 أخفض من باقي سطح السيليكون.
طورت هذه التقنية من أجل عزل ترانزستورات موسفت عن بعضها؛ لأن طبقة ثنائي أكسيد السيليكون طبقة عازلة ترفع من الأداء الإلكتروني لرقاقة السيليكون. يمكن تمثيل ونمذجة عملية الأكسدة الموضعية للسيليكون باستخدام نموذج ديل-غروف Deal–Grove model.[1]
طالع أيضاً
هوامش
- ملاحظة 1 اختصاراً LOCOS من LOCal Oxidation of Silicon
المراجع
- ^ Liu، M.؛ Peng، J.؛ وآخرون (2016). "Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires". Theoretical and Applied Mechanics Letters. ج. 6 ع. 5: 195–199. DOI:10.1016/j.taml.2016.08.002. مؤرشف من الأصل في 2021-03-23.
 | هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها. |