https://3rabica.org/index.php?action=history&feed=atom&title=%D8%B3%D9%8A%D9%84%D9%8A%D8%B3%D9%8A%D9%86سيليسين - تاريخ المراجعة2026-06-09T06:39:18Zتاريخ التعديل لهذه الصفحة في الويكيMediaWiki 1.43.7https://3rabica.org/index.php?title=%D8%B3%D9%8A%D9%84%D9%8A%D8%B3%D9%8A%D9%86&diff=3358792&oldid=prevعبد العزيز: نقل من تصنيف:تكنولوجيات ناشئة إلى تصنيف:تقانات ناشئة باستخدام تعديل تصنيفات2023-02-25T11:22:09Z<p>نقل من <a href="/index.php?title=%D8%AA%D8%B5%D9%86%D9%8A%D9%81:%D8%AA%D9%83%D9%86%D9%88%D9%84%D9%88%D8%AC%D9%8A%D8%A7%D8%AA_%D9%86%D8%A7%D8%B4%D8%A6%D8%A9&action=edit&redlink=1" class="new" title="تصنيف:تكنولوجيات ناشئة (الصفحة غير موجودة)">تصنيف:تكنولوجيات ناشئة</a> إلى <a href="/%D8%AA%D8%B5%D9%86%D9%8A%D9%81:%D8%AA%D9%82%D8%A7%D9%86%D8%A7%D8%AA_%D9%86%D8%A7%D8%B4%D8%A6%D8%A9" title="تصنيف:تقانات ناشئة">تصنيف:تقانات ناشئة</a> باستخدام <a href="/%D9%85%D9%8A%D8%AF%D9%8A%D8%A7%D9%88%D9%8A%D9%83%D9%8A:Gadget-Cat-a-lot" title="ميدياويكي:Gadget-Cat-a-lot">تعديل تصنيفات</a></p>
<p><b>صفحة جديدة</b></p><div>[[ملف:Silicene Cluster.jpg|تصغير|بنية متموجة نمطية لطبقة من السيليسين.]]<br />
[[ملف:Silicene-Ag STM5 crop.jpg|تصغير|صورة بواسطة [[مجهر مسح نفقي]] (STM) لطبقتين من السيليسين على طبقة رقيقة من الفضة.<ref>{{استشهاد بدورية محكمة | الأخير1 = Sone | الأول1 = Junki | الأخير2 =Yamagami | الأول2 = Tsuyoshi | الأخير3 =Nakatsuji | الأول3 = Kan | الأخير4 =Hirayama | الأول4 = Hiroyuki | سنة = 2014 | عنوان = Epitaxial growth of silicene on ultra-thin Ag(111) films | صحيفة = New J. Phys. | المجلد = 16 | العدد = 9| صفحات = 095004 | doi = 10.1088/1367-2630/16/9/095004| bibcode = 2014NJPh...16i5004S | doi-access = free }}</ref>]]<br />
'''السيليسين''' {{إنج|Silicene}} هو [[تآصل|متآصل]] ثنائي الأبعاد من [[سيليكون|السيليكون]]، والذي لديه بنية مكونة من سداسيات [[بنية خلية النحل|خلية النحل]] شبيهة ببنية [[غرافين|الغرافين]]. على العكس من بنية الغرافين فإن السيليسين ليس مستوياً، ولكن لديه تضاريس متعرجة دورية، ويكون الترابط بين الطبقات في السيليسين أقوى منه الغرافين.<br />
<br />
على الرغم من تنبؤ عدد من الباحثين بوجود السيليسين؛<ref>{{استشهاد بدورية محكمة | الأخير1 = Takeda | الأول1 = K. | الأخير2 = Shiraishi | الأول2 = K. | doi = 10.1103/PhysRevB.50.14916 | عنوان = Theoretical possibility of stage corrugation in Si and Ge analogs of graphite | صحيفة = Physical Review B | المجلد = 50 | العدد = 20 | صفحات = 14916–14922 | سنة = 1994 | pmid = 9975837| bibcode = 1994PhRvB..5014916T }}</ref><ref>{{استشهاد بدورية محكمة | الأخير1 = Guzmán-Verri | الأول1 = G. | الأخير2 = Lew Yan Voon | الأول2 = L. | doi = 10.1103/PhysRevB.76.075131 | عنوان = Electronic structure of silicon-based nanostructures | صحيفة = Physical Review B | المجلد = 76 | العدد = 7 | صفحات = 075131 | سنة = 2007 | bibcode = 2007PhRvB..76g5131G | arxiv = 1107.0075 }}</ref><ref>{{استشهاد بدورية محكمة | الأخير1 = Cahangirov | الأول1 = S. | الأخير2 = Topsakal | الأول2 = M. | الأخير3 = Aktürk | الأول3 = E. | الأخير4 = Şahin | الأول4 = H. | الأخير5 = Ciraci | الأول5 = S. | عنوان = Two- and One-Dimensional Honeycomb Structures of Silicon and Germanium | doi = 10.1103/PhysRevLett.102.236804 | صحيفة = Physical Review Letters | المجلد = 102 | العدد = 23 | سنة = 2009 | pmid = 19658958| صفحة=236804| bibcode = 2009PhRvL.102w6804C | arxiv = 0811.4412 }}</ref> إلا أنه اكتشف رسمياً في سنة 2010.<ref>{{استشهاد بدورية محكمة | الأخير1 = Aufray | الأول1 = B. | الأخير2 = Kara | الأول2 = A. | الأخير3 = Vizzini | الأول3 = S. B. | الأخير4 = Oughaddou | الأول4 = H. | الأخير5 = LéAndri | الأول5 = C. | الأخير6 = Ealet | الأول6 = B. | الأخير7 = Le Lay | الأول7 = G. | doi = 10.1063/1.3419932 | عنوان = Graphene-like silicon nanoribbons on Ag(110): A possible formation of silicene | صحيفة = Applied Physics Letters | المجلد = 96 | العدد = 18 | صفحات = 183102 | سنة = 2010 | bibcode = 2010ApPhL..96r3102A | مسار = https://stars.library.ucf.edu/facultybib2010/6963 | مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20210526093450/https://stars.library.ucf.edu/facultybib2010/6963/ | تاريخ أرشيف = 26 مايو 2021 }}</ref><ref>{{استشهاد بدورية محكمة | الأخير1 = Lalmi | الأول1 = B. | الأخير2 = Oughaddou | الأول2 = H. | الأخير3 = Enriquez | الأول3 = H. | الأخير4 = Kara | الأول4 = A. | الأخير5 = Vizzini | الأول5 = S. B. | الأخير6 = Ealet | الأول6 = B. N. | الأخير7 = Aufray | الأول7 = B. | doi = 10.1063/1.3524215 | عنوان = Epitaxial growth of a silicene sheet | صحيفة = Applied Physics Letters | المجلد = 97 | العدد = 22 | صفحات = 223109 | سنة = 2010 | bibcode = 2010ApPhL..97v3109L | arxiv = 1204.0523 }}</ref><br />
<br />
== طالع أيضاً ==<br />
* [[غرافين]]<br />
<br />
== المراجع ==<br />
{{مراجع}}<br />
{{شريط بوابات|علم المواد|الفيزياء|الكيمياء}}<br />
{{بذرة كيمياء}}<br />
{{روابط شقيقة}}<br />
<br />
[[تصنيف:أشكال السيليكون]]<br />
[[تصنيف:أشباه الموصلات من المجموعة الرابعة]]<br />
[[تصنيف:تقانات ناشئة]]<br />
[[تصنيف:سيليكون]]</div>عبد العزيز