<?xml version="1.0"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xml:lang="ar">
	<id>https://3rabica.org/index.php?action=history&amp;feed=atom&amp;title=%D8%B1%D9%82%D8%A7%D9%82%D8%A9</id>
	<title>رقاقة - تاريخ المراجعة</title>
	<link rel="self" type="application/atom+xml" href="https://3rabica.org/index.php?action=history&amp;feed=atom&amp;title=%D8%B1%D9%82%D8%A7%D9%82%D8%A9"/>
	<link rel="alternate" type="text/html" href="https://3rabica.org/index.php?title=%D8%B1%D9%82%D8%A7%D9%82%D8%A9&amp;action=history"/>
	<updated>2026-06-06T03:53:55Z</updated>
	<subtitle>تاريخ التعديل لهذه الصفحة في الويكي</subtitle>
	<generator>MediaWiki 1.43.7</generator>
	<entry>
		<id>https://3rabica.org/index.php?title=%D8%B1%D9%82%D8%A7%D9%82%D8%A9&amp;diff=1409694&amp;oldid=prev</id>
		<title>عبد العزيز: بوت:إضافة بوابة (بوابة:تقانة,بوابة:الكيمياء,بوابة:الفيزياء)</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://3rabica.org/index.php?title=%D8%B1%D9%82%D8%A7%D9%82%D8%A9&amp;diff=1409694&amp;oldid=prev"/>
		<updated>2023-10-24T09:35:49Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;بوت:إضافة بوابة (بوابة:تقانة,بوابة:الكيمياء,بوابة:الفيزياء)&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;صفحة جديدة&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;{{Multiple image&lt;br /&gt;
|perrow=2&lt;br /&gt;
|total_width=300&lt;br /&gt;
|image1=Siliziumwafer.JPG{{!}}polished 12&amp;quot; and 6&amp;quot; silicon wafers&lt;br /&gt;
|image2=ICC 2008 Poland Silicon Wafer 1 edit.png{{!}}VLSI microcircuits fabricated on a 12-inch wafer&lt;br /&gt;
|image3=Wafers on the conveyor (3347741252).jpg{{!}}Solar wafers on the conveyor&lt;br /&gt;
|image4=Solar World wafer (3347743800).jpg{{!}}Completed solar wafer&lt;br /&gt;
|footer=&amp;lt;div&amp;gt;&lt;br /&gt;
&amp;lt;!--Modie Wafer--&amp;gt;&lt;br /&gt;
* أعلى: رقائق سيليكون مصقولة 12 &amp;quot;و 6&amp;quot;. يتم تمييز اتجاهها البلوري بالشقوق والقطع المسطحة (يسار). دوائر دقيقة VLSI مصنعة على رقاقة من السيليكون مقاس 12 بوصة (300 مـم) قبل تقطيعها وتعبئتها (يمين).&lt;br /&gt;
*أسفل: رقائق شمسية على الناقل (يسار) ورقاقة شمسية مكتملة (يمين)&lt;br /&gt;
}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;الرقاقة&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; {{إنج|Wafer}} في [[إلكترونيات|الإلكترونيات]] هي شريحة رقيقة من مادة [[شبه موصل|نصف موصلة]] مثل [[بلورة أحادية]] من [[سيليكون|السيليكون]] النقي .&amp;lt;ref&amp;gt;[https://www.intel.com/content/www/us/en/history/museum-making-silicon.html Intel, Samsung, TSMC reach agreement about 450mm tech] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20090318082549/http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20080505corp.htm |date=18 مارس 2009}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&amp;lt;ref&amp;gt;{{استشهاد بكتاب |عنوان=Microelectronic Materials and Processes |الأخير=Levy |الأول=Roland Albert |سنة=1989 |صفحات=6–7, 13 |isbn=0-7923-0154-4 |مسار= https://books.google.com/books?id=wZPRPU6ne7UC&amp;amp;pg=PA248#PPA1,M1 |تاريخ الوصول=2008-02-23|مسار أرشيف= https://web.archive.org/web/20200125225750/https://books.google.com/books?id=wZPRPU6ne7UC&amp;amp;pg=PA248#PPA1,M1|تاريخ أرشيف=2020-01-25}}&amp;lt;/ref&amp;gt;&amp;lt;ref&amp;gt;{{استشهاد ويب|مسار=https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/937966/000119312514046822/d546896d20f.htm |عنوان=ASML 2013 Annual Report Form (20-F) |ناشر=United States Securities and Exchange Commission |صيغة=XBRL |تاريخ=February 11, 2014 |اقتباس=In November 2013, following our customers’ decision, ASML decided to pause the development of 450&amp;amp;nbsp;mm lithography systems until customer demand and the timing related to such demand is clear. | مسار أرشيف = https://web.archive.org/web/20150924143427/http://www.sec.gov/Archives/edgar/data/937966/000119312514046822/d546896d20f.htm | تاريخ أرشيف = 24 سبتمبر 2015}}&amp;lt;/ref&amp;gt; تستعمل لتصنيع [[دارة متكاملة|الدارات المتكاملة]] وأجهزة أخرى ميكروية .&lt;br /&gt;
[[ملف:etchedwafer.jpg|تصغير|رقاقة السيليكون، محفورة ومقسمة إلى مئات من [[دارة متكاملة|الدارات المتكاملة]].]]&lt;br /&gt;
[[ملف:ICC 2008 Poland Silicon Wafer 1 edit.png|تصغير|رقاقة سيليكون Intel.]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
و&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;الويفر&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; أو &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;الرقيقة البلورية &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;هي قوام الدارات المتكاملة، و[[معالج دقيق|المعالج الصغري]] (الميكروبروسيسور ) ، وتجري عليه عدة معالجات دقيقة عند تصنيعه مثل [[إشابة|التشوئب]] أي إضافة شوائب من معادن معينة لكي يكتسب صفات [[شبه موصل|نصف الموصلات]] أو حقنه [[أيون|بالأيونات]] لكي يكتسب صفات جديدة . ويُنتج قرص الويفر الواحد مئات من تلك الدارات المتكاملة الميكروية.&lt;br /&gt;
  &lt;br /&gt;
كما توجد أنواع من &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;الرقائق الإلكترونية &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; تعمل كخلية شمسية أو [[خلية شمسية|خلية ضوئية جهدية]] ، تقوم بتحويل [[ضوء]] [[الشمس]] مباشرة إلى [[تيار كهربائي]] . وفي هذه الحالة فلا حاجة لتقطيع شريحة الويفر إلى أجزاء بل تستعمل الرقيقة بأكملها .&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== التاريخ ==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
* أنظر أيضا:[[قائمة منتجي السيليكون]]&lt;br /&gt;
في صناعة أشباه الموصلات أو رقاقة السيليكون ، ظهر مصطلح الرقاقة (ويفر) في الخمسينيات من القرن الماضي لوصف شريحة دائرية رفيعة من مادة أشباه الموصلات ، عادةً من الجرمانيوم أو السيليكون النقي. يأتي الشكل الدائري من بلورات كبيرة أحادية البلورة يتم إنتاجها عادةً باستخدام طريقة Czochralski. تم تقديم رقائق السيليكون لأول مرة في الأربعينيات. [2] [3]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
بحلول عام 1960 ، تم تصنيع رقائق السيليكون في الولايات المتحدة من قبل شركات مثل MEMC / SunEdison. وفي عام 1965 ، قدم المهندسون الأمريكيون &amp;quot;إريك أو.إرنست &amp;quot; و &amp;quot;دونالد جيهورد&amp;quot; و &amp;quot;جيرارد سيلي&amp;quot; براءة اختراع US3423629A [4] ، أثناء عملهم تحت إشراف شركة آي بي إم ، لأول جهاز فوق محوري عالي السعة.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
يتم تصنيع رقائق السيليكون بواسطة شركات مثل [[سومكو]] و Shin-Etsu Chemical [5] شركة Hemlock Semiconductor Corporation و Siltronic.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== إنتاجها ==&lt;br /&gt;
=== تشكيل - تكوين ===&lt;br /&gt;
أنظر أيضا: بول (كريستال)&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;&amp;quot;طريقة تشوخرالسكي&amp;quot;:&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;&lt;br /&gt;
[[ملف:Czochralski Process.svg|تصغير|300px|The [[Czochralski method]]]]&lt;br /&gt;
تتكون الرقاقات من مادة بلورية مفردة شديدة النقاوة ، [6] خالية تقريبًا من العيوب ، بنقاوة 99.9999999٪ (9N) أو أعلى. [6] تُعرف إحدى عمليات تشكيل الرقاقات البلورية باسم طريقة Czochralski ، التي ابتكرها الكيميائي البولندي Jan Czochralski. في هذه العملية ، يتم تشكيل سبيكة أسطوانية من أشباه موصلات أحادية البلورية عالية النقاء ، مثل السيليكون أو الجرمانيوم ،( تسمى أيضا الكرة) ، عن طريق سحب بلورة بذرة من المصهور. [7] [8] يمكن إضافة ذرات الشوائب المانحة ، مثل البورون أو الفوسفور في حالة السيليكون إلى المادة الإبتدائية المنصهرة بكميات دقيقة من أجل تشويب البلورة ، وبالتالي تغيير الأسطوانة الأحادية البلورة إلى أشباه موصلات من النوع n ،أو النوع p.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
يتم بعد ذلك تقطيع الأسطوانة البلورية (ويفر) بمنشار سلكي (نوع من المنشار السلكي) ، وتشكيله آليًا لتحسين السطح ، وحفره كيميائيًا لإزالة التلف البلوري من خطوات التصنيع ، وأخيراً يتم صقله لتشكيل الرقائق. [9] حجم رقائق الخلايا الكهروضوئية هو بمساحة 100-200 مم مربع وسماكة 100-500 [[ميكرومتر]]. تستخدم الإلكترونيات أحجام رقائق الويفر من قطر 100 إلى 450 ملم. يبلغ قطر أكبر رقائق مصنوعة من 450 ملم ، [11] ولكنها لم تستخدم بعد بشكل عام.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== التنظيف والتركيب والحفر ==&lt;br /&gt;
يتم تنظيف الويفر بأحماض ضعيفة لإزالة الجزيئات غير المرغوب فيها. هناك العديد من إجراءات التنظيف القياسية للتأكد من عدم احتواء سطح رقاقة السيليكون على أي تلوث. واحدة من أكثر الطرق فعالية هي تنظيف RCA. عند استخدامها للخلايا الشمسية ، تكون الرقائق مزخرفة لخلق سطح خشن لزيادة مساحة السطح وبالتالي كفاءتها. تتم إزالة PSG المتولد (زجاج فسفوسيليكات) من حافة الرقاقة في الحفر.&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== اقرأ أيضا ==&lt;br /&gt;
* [[معالج دقيق|معالج صغري]]&lt;br /&gt;
* [[خلية شمسية|خلية ضوئية جهدية]]&lt;br /&gt;
* [[لوح ضوئي جهدي]]&lt;br /&gt;
* [[مصفوف ضوئي جهدي]]&lt;br /&gt;
* [[شبه موصل]]&lt;br /&gt;
* [[غرفة نظيفة]]&lt;br /&gt;
* [[ضغط الخلايا]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== مراجع ==&lt;br /&gt;
{{مراجع}}&lt;br /&gt;
{{شريط بوابات|إلكترونيات|الفيزياء|الكيمياء|تقانة|تقانة النانو}}&lt;br /&gt;
{{روابط شقيقة}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[تصنيف:إلكترونيات]]&lt;br /&gt;
[[تصنيف:تصنيع أجهزة أشباه الموصلات]]&lt;br /&gt;
[[تصنيف:طاقة شمسية]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>عبد العزيز</name></author>
	</entry>
</feed>