<?xml version="1.0"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xml:lang="ar">
	<id>https://3rabica.org/index.php?action=history&amp;feed=atom&amp;title=%D8%A5%D8%B4%D8%A7%D8%A8%D8%A9</id>
	<title>إشابة - تاريخ المراجعة</title>
	<link rel="self" type="application/atom+xml" href="https://3rabica.org/index.php?action=history&amp;feed=atom&amp;title=%D8%A5%D8%B4%D8%A7%D8%A8%D8%A9"/>
	<link rel="alternate" type="text/html" href="https://3rabica.org/index.php?title=%D8%A5%D8%B4%D8%A7%D8%A8%D8%A9&amp;action=history"/>
	<updated>2026-06-06T09:36:17Z</updated>
	<subtitle>تاريخ التعديل لهذه الصفحة في الويكي</subtitle>
	<generator>MediaWiki 1.43.7</generator>
	<entry>
		<id>https://3rabica.org/index.php?title=%D8%A5%D8%B4%D8%A7%D8%A8%D8%A9&amp;diff=1359709&amp;oldid=prev</id>
		<title>عبد العزيز: بوت:أرابيكا:طلبات إزالة (بوابة، تصنيف، قالب) حذف بوابة:كهرباء</title>
		<link rel="alternate" type="text/html" href="https://3rabica.org/index.php?title=%D8%A5%D8%B4%D8%A7%D8%A8%D8%A9&amp;diff=1359709&amp;oldid=prev"/>
		<updated>2023-10-24T08:47:35Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;بوت:&lt;a href=&quot;/%D8%A3%D8%B1%D8%A7%D8%A8%D9%8A%D9%83%D8%A7:%D8%B7%D9%84%D8%A8%D8%A7%D8%AA_%D8%A5%D8%B2%D8%A7%D9%84%D8%A9_(%D8%A8%D9%88%D8%A7%D8%A8%D8%A9%D8%8C_%D8%AA%D8%B5%D9%86%D9%8A%D9%81%D8%8C_%D9%82%D8%A7%D9%84%D8%A8)&quot; title=&quot;أرابيكا:طلبات إزالة (بوابة، تصنيف، قالب)&quot;&gt;أرابيكا:طلبات إزالة (بوابة، تصنيف، قالب)&lt;/a&gt; حذف &lt;a href=&quot;/index.php?title=%D8%A8%D9%88%D8%A7%D8%A8%D8%A9:%D9%83%D9%87%D8%B1%D8%A8%D8%A7%D8%A1&amp;amp;action=edit&amp;amp;redlink=1&quot; class=&quot;new&quot; title=&quot;بوابة:كهرباء (الصفحة غير موجودة)&quot;&gt;بوابة:كهرباء&lt;/a&gt;&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;صفحة جديدة&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;الإشابة&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;&amp;lt;ref&amp;gt;ترجمة Doping في [http://basm.kacst.edu.sa/Default.aspx بنك باسم للمصطلحات التقنية] {{وصلة مكسورة|date= يوليو 2018 |bot=JarBot}} {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20171230071320/http://basm.kacst.edu.sa/Default.aspx |date=30 ديسمبر 2017}}&amp;lt;/ref&amp;gt; أو &amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;التطعيم&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039; في [[إلكترونيات|الإلكترونيات]] هي عملية مصنعية تتم لتحويل [[عنصر شبه موصل|نبيطة]] [[شبه موصل|شبه الموصل]] من كونها [[شبه موصل أصيل|شبه موصل ذاتي]] لتصبح [[شبه موصل مشاب]]، عن طريق إضافة كمية قليلة من مادة غنية بالإلكترونات أو إضافة مادة ناقصة الإلكترونات وتسمى تلك الأخيرة [[فجوة إلكترونية]]. تتحرك الكهرباء في النبيطة (مثل الترانزيستور) بتحرك الإلكترونات (سالبة الشحنة) وتحرك الفجوات (موجبة الشحنة).&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
يستخدم [[زرنيخيد الغاليوم|زرنيخيد الغاليوم الثلاثي]] النقي كحامل للإشابة، فهو [[شبه موصل]]. عند إضافة كمية قليلة من مادة [[مانح|مانحة]] تحتوي 5 إلكترونات مثل ال[[إثمد]] أو [[فسفور|الفسفور]] أو [[زرنيخ|الزرنيخ]] أو غيرها من عناصر المجموعة الخامسة في [[الجدول الدوري]] إلى السيليكون النقي تصبح بلوراته مشابة، حينها بلورة [[شبه موصل مشاب|شبه موصل سالب]] أما إذا أضيف للبلورة النقية مادة [[متقبل|متقبلة]] من عناصر المجموعة الثالثة تحتوي ذراتها على ثلاثة إلكترونات فعندها ستشكل الإلكترونات الثلاث [[رابطة تساهمية]] مع إلكترونات الذرات المجاورة وتبقى الرابطة الرابعة غير مكتملة مما يؤدي إلى تكون [[فجوة إلكترونية]] وتسمى البلورة من هذا النوع بلورة [[شبه موصل مشاب|شبه موصل موجب]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== بعض الأنواع ==&lt;br /&gt;
نوع III-V-GaAs وهو [[زرنيخيد الغاليوم|زرنيخيد غاليوم ثلاثي]] نقي يشوب بقليل من [[كربون|الكربون]] فيكون [[فجوة إلكترونية|فجوات إلكترونية]] (موجب الشحنات ) ، أما إذا طعم ب [[تيلوريوم|تلوريوم]] فيصبح غنيا بالإلكترونات وبالتالي يحتوي على شحنات سالبة .&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
مادة شبه موصلة تستخدم كثيرا في الإلكترونيات هي [[أكسيد السيليكون]] النقي حيث يمكن إشابة ه [[بورون|بالبورون]] أو ب [[فسفور|الفسفور]]. وينتج منه زجاج بورفوسفات سيليكات BPSG الذي تنخفض درجة انصهاره نحو 700 درجة مئوية عن نقطة انصهار أكسيد السيليكون. لهذا يستخدم في صناعة [[رقاقة|الويفر]] .&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== إشابة السيليكون ==&lt;br /&gt;
1) إشابة السيليكون لينتج النوع N من [[شبه موصل]].&lt;br /&gt;
[[ملف:N-doped Si.svg|تصغير|يمين|300px|إشابة السيليكون : ينتج نوع N]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
أضفنا ذرة فوسفور تمد السيليكون بإلكترون حر (أحمر).&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
2) إشابة السيليكون لينتج النوع P من شبه موصل .&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[ملف:P-doped Si.svg|تصغير|يمين|300px|إشابة السيليكون : لينتج النوع P]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
هنا أضيفت ذرة [[بورون]] إلى السيليكون النقي فكونت فيه [[فجوة إلكترونية]].&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== تركيب ترانزيستور ==&lt;br /&gt;
[[ملف:NPN BJT (Planar) Cross-section.svg|إطار|يسار|مقطع في مقحل ثنائي الأقطاب ، نوع &amp;#039;&amp;#039;NPN&amp;#039;&amp;#039;]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
يتكون الترانزيستور في العادة من ثلاثة طبقات من نوع NPN أو PNP .&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
الشكل المبين يوضح تركيب ما يسمى [[ترانزستور ثنائي القطب|مقحل ثنائي الأقطاب]]&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
== انظر أيضاً ==&lt;br /&gt;
* [[ترانزستور ثنائي القطب|مقحل ثنائي الأقطاب]]&lt;br /&gt;
* [[حامل الشحنة|حامل شحنة]]&lt;br /&gt;
* [[طيف كهرومغناطيسي]]&lt;br /&gt;
* [[ليزر]]&lt;br /&gt;
* [[استقطاب الفوتون]].&lt;br /&gt;
* [[فونون]].&lt;br /&gt;
* [[حامل القوة|حامل قوة]].&lt;br /&gt;
== مراجع ==&lt;br /&gt;
{{مراجع}}&lt;br /&gt;
{{ضبط استنادي}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
{{روابط شقيقة}}&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
{{شريط بوابات|إلكترونيات|الفيزياء|كيمياء فيزيائية|الكيمياء}}&lt;br /&gt;
[[تصنيف:إلكترونيات]]&lt;br /&gt;
[[تصنيف:تصنيع أجهزة أشباه الموصلات]]&lt;br /&gt;
[[تصنيف:كهروديناميكا كمية]]&lt;br /&gt;
[[تصنيف:مفاهيم فيزيائية]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>عبد العزيز</name></author>
	</entry>
</feed>